C30B 25/00 - Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы [3]
25/02 . выращивание эпитаксиальных слоев [3]
25/04 . . отложение образцов, например с использованием защитных слоев [3]
25/06 . . разбрызгиванием продуктов реакции [3]
25/08 . . реакционные камеры; выбор материалов для них [3]
25/10 . . нагревание реакционной камеры или подложки [3]
25/12 . . держатели или приемники подложек [3]
25/14 . . средства для подачи или выпуска газов; изменение потока реакционноспособных газов [3]
25/16 . . управление или регулирование (управление или регулирование вообще G05) [3]
25/18 . . характеризуемое подложкой [3]
25/20 . . . с подложкой из того же материала, что эпитаксиальный слой [3]
25/22 . . способы получения "сэндвичевых" слоев [3]